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codice articolo del costruttore | NSVBAS21TMR6T2G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVBAS21TMR6T2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBAS21TMR6T2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-74 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVBAS21TMR6T2G-FT |
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
BAR43C
ON Semiconductor
BAR43S
ON Semiconductor
BAS 40-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-05 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-06 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-05 B5003
Infineon Technologies
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel