casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N5005
codice articolo del costruttore | JANTXV2N5005 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N5005 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/535 |
JANTXV2N5005 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2.5A, 5V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-59 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5005 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N5005-FT |
JANTX2N3636L
Microsemi Corporation
JANTX2N3636UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3637UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3700UB/TR
Microsemi Corporation
JANTX2N3737
Microsemi Corporation
JANTX2N3749
Microsemi Corporation
JANTX2N3771
Microsemi Corporation
JANTX2N3960UB
Microsemi Corporation
JANTX2N3996
Microsemi Corporation
JANTX2N3997
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel