casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N3700UB/TR
codice articolo del costruttore | JANTX2N3700UB/TR |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N3700UB/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/391 |
JANTX2N3700UB/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3700UB/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N3700UB/TR-FT |
JAN2N5416UA
Microsemi Corporation
JAN2N5662
Microsemi Corporation
JAN2N5663
Microsemi Corporation
JAN2N5666S
Microsemi Corporation
JAN2N5667S
Microsemi Corporation
JAN2N5671
Microsemi Corporation
JAN2N5683
Microsemi Corporation
JAN2N5684
Microsemi Corporation
JAN2N5685
Microsemi Corporation
JAN2N6051
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel