casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N3997
codice articolo del costruttore | JANTX2N3997 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N3997 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/374 |
JANTX2N3997 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | TO-111-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-111 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3997 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N3997-FT |
JAN2N5683
Microsemi Corporation
JAN2N5684
Microsemi Corporation
JAN2N5685
Microsemi Corporation
JAN2N6051
Microsemi Corporation
JAN2N6193
Microsemi Corporation
JAN2N6211
Microsemi Corporation
JAN2N6249
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JAN2N6249T1
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JAN2N6250
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JAN2N6250T1
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XC4003E-4PQ100I
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XC7A50T-1CSG325C
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10AX027H3F34I2LG
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5SGSMD5H3F35C2LN
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Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation