casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N3636L
codice articolo del costruttore | JANTX2N3636L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTX2N3636L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTX2N3636L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3636L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N3636L-FT |
JAN2N5415
Microsemi Corporation
JAN2N5416
Microsemi Corporation
JAN2N5416S
Microsemi Corporation
JAN2N5416UA
Microsemi Corporation
JAN2N5662
Microsemi Corporation
JAN2N5663
Microsemi Corporation
JAN2N5666S
Microsemi Corporation
JAN2N5667S
Microsemi Corporation
JAN2N5671
Microsemi Corporation
JAN2N5683
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel