casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N3637UB
codice articolo del costruttore | JANTX2N3637UB |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N3637UB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTX2N3637UB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3637UB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N3637UB-FT |
JAN2N5416S
Microsemi Corporation
JAN2N5416UA
Microsemi Corporation
JAN2N5662
Microsemi Corporation
JAN2N5663
Microsemi Corporation
JAN2N5666S
Microsemi Corporation
JAN2N5667S
Microsemi Corporation
JAN2N5671
Microsemi Corporation
JAN2N5683
Microsemi Corporation
JAN2N5684
Microsemi Corporation
JAN2N5685
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation