casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N6059
codice articolo del costruttore | JANTX2N6059 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N6059 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/502 |
JANTX2N6059 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-204AA (TO-3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N6059 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N6059-FT |
JAN2N3507A
Microsemi Corporation
JAN2N3507AL
Microsemi Corporation
JAN2N3507L
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JAN2N3716
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JAN2N3740
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JAN2N3749
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JAN2N3767
Microsemi Corporation
JAN2N3792
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JAN2N3867S
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JAN2N3868S
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel