casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3868S
codice articolo del costruttore | JAN2N3868S |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3868S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/350 |
JAN2N3868S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3868S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3868S-FT |
JAN2N2919
Microsemi Corporation
JAN2N3485A
Microsemi Corporation
JAN2N3498
Microsemi Corporation
JAN2N3498L
Microsemi Corporation
JAN2N3499
Microsemi Corporation
JAN2N3499L
Microsemi Corporation
JAN2N3500
Microsemi Corporation
JAN2N3500L
Microsemi Corporation
JAN2N3635
Microsemi Corporation
JAN2N3635L
Microsemi Corporation
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel