casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3767
codice articolo del costruttore | JAN2N3767 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3767 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/518 |
JAN2N3767 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
Potenza - Max | 25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 (TO-213AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3767 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3767-FT |
JAN2N2905
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2919
Microsemi Corporation
JAN2N3485A
Microsemi Corporation
JAN2N3498
Microsemi Corporation
JAN2N3498L
Microsemi Corporation
JAN2N3499
Microsemi Corporation
JAN2N3499L
Microsemi Corporation
JAN2N3500
Microsemi Corporation
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
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10AX027H3F34I2LG
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5SGXEA7H3F35C2LN
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5SGSMD5H3F35C2LN
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EP3SL150F1152C3N
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XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation