casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3507L
codice articolo del costruttore | JAN2N3507L |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3507L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3507L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3507L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3507L-FT |
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
JAN2N2904A
Microsemi Corporation
JAN2N2904AL
Microsemi Corporation
JAN2N2905
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2919
Microsemi Corporation
JAN2N3485A
Microsemi Corporation
JAN2N3498
Microsemi Corporation
XA3S400A-4FGG400I
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD5K2F40C3N
Intel
EP3SE260F1517C2
Intel
5SGXMA5N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35C4N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923E
Xilinx Inc.
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation