casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3507L
codice articolo del costruttore | JAN2N3507L |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3507L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3507L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3507L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3507L-FT |
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
JAN2N2904A
Microsemi Corporation
JAN2N2904AL
Microsemi Corporation
JAN2N2905
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2919
Microsemi Corporation
JAN2N3485A
Microsemi Corporation
JAN2N3498
Microsemi Corporation
XC2S50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG256A
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68
Microsemi Corporation
XC4013XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP3CLS100U484I7N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2BG332I
Lattice Semiconductor Corporation