casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3749
codice articolo del costruttore | JAN2N3749 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3749 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/315 |
JAN2N3749 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-111-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-111 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3749 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3749-FT |
JAN2N2904AL
Microsemi Corporation
JAN2N2905
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2919
Microsemi Corporation
JAN2N3485A
Microsemi Corporation
JAN2N3498
Microsemi Corporation
JAN2N3498L
Microsemi Corporation
JAN2N3499
Microsemi Corporation
JAN2N3499L
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel