casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFV22N50P
codice articolo del costruttore | IXFV22N50P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFV22N50P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFV22N50P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2630pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3, Short Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV22N50P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFV22N50P-FT |
IXFE55N50
IXYS
IXFE73N30Q
IXYS
IXFE80N50
IXYS
IXFN100N10S1
IXYS
IXFN100N10S2
IXYS
IXFN100N10S3
IXYS
IXFN100N20
IXYS
IXFN100N25
IXYS
IXFN120N25
IXYS
IXFN150N10
IXYS
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel