casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN100N10S2
codice articolo del costruttore | IXFN100N10S2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFN100N10S2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN100N10S2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN100N10S2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN100N10S2-FT |
IXFN55N50F
IXYS-RF
IXFN210N30X3
IXYS
IXFN27N80
IXYS
IXFN180N15P
IXYS
IXFN140N30P
IXYS
IXFN210N30P3
IXYS
IXFN82N60Q3
IXYS
IXFN300N20X3
IXYS
IXFN62N80Q3
IXYS
IXFN64N50P
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel