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IXYS IXFN100N10S1

Name: IXFN100N10S1
Brand: IXYS
SKU: IXFN100N10S1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (171 reviews)

Numero parte MFG: IXFN100N10S1

quantità disponibile: 86040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFN100N10S1.pdf

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IXFN100N10S1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFN100N10S1
Numero di parte futuro	FT-IXFN100N10S1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFN100N10S1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227B
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN100N10S1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFN100N10S1-FT

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