casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN100N25
codice articolo del costruttore | IXFN100N25 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFN100N25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN100N25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 600W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN100N25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN100N25-FT |
IXFN180N15P
IXYS
IXFN140N30P
IXYS
IXFN210N30P3
IXYS
IXFN82N60Q3
IXYS
IXFN300N20X3
IXYS
IXFN62N80Q3
IXYS
IXFN64N50P
IXYS
IXFN240N25X3
IXYS
IXFN73N30
IXYS
IXFN90N85X
IXYS
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel