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IXYS IXFN150N10

Numero parte MFG
IXFN150N10
quantità disponibile
23070 pezzi
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFN150N10 specificazioni

codice articolo del costruttore IXFN150N10
Numero di parte futuro FT-IXFN150N10
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFN150N10 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN150N10 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFN150N10-FT

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