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IXYS IXFV18N60P

Name: IXFV18N60P
Brand: IXYS
SKU: IXFV18N60P
Availability: InStock
Rating: 4.9 (402 reviews)

Numero parte MFG: IXFV18N60P

quantità disponibile: 40670 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™, PolarHT™ MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFV18N60P.pdf

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IXFV18N60P specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFV18N60P
Numero di parte futuro	FT-IXFV18N60P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, PolarHT™
IXFV18N60P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS220
Pacchetto / caso	TO-220-3, Short Tab
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFV18N60P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFV18N60P-FT

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