casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFV15N100PS
codice articolo del costruttore | IXFV15N100PS |
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Numero di parte futuro | FT-IXFV15N100PS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFV15N100PS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 97nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5140pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 543W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS-220SMD |
Pacchetto / caso | PLUS-220SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV15N100PS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFV15N100PS-FT |
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