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Microsemi Corporation APTM20UM03FAG

Numero parte MFG
APTM20UM03FAG
quantità disponibile
31030 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 150.48512
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS 7® MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore APTM20UM03FAG
Numero di parte futuro FT-APTM20UM03FAG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APTM20UM03FAG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 580A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 290A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 840nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43300pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2270W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
Pacchetto / caso SP6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM20UM03FAG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM20UM03FAG-FT

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