casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APTM20UM03FAG
codice articolo del costruttore | APTM20UM03FAG |
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Numero di parte futuro | FT-APTM20UM03FAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APTM20UM03FAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 580A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 290A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 15mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 840nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 43300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2270W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Pacchetto / caso | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM20UM03FAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM20UM03FAG-FT |
APT10035JLL
Microsemi Corporation
APT100M50J
Microsemi Corporation
APT20M11JVR
Microsemi Corporation
APT30M19JVR
Microsemi Corporation
APT30M60J
Microsemi Corporation
APT39M60J
Microsemi Corporation
APT80M60J
Microsemi Corporation
APT80F60J
Microsemi Corporation
APT10045JLL
Microsemi Corporation
APT21M100J
Microsemi Corporation
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation