casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFD9020
codice articolo del costruttore | IRFD9020 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFD9020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD9020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 960mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD9020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFD9020-FT |
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A55DA(STA4,Q,M)
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TK9A60D(STA4,Q,M)
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TK5Q65W,S1Q
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TK5Q60W,S1VQ
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TK10Q60W,S1VQ
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TK12Q60W,S1VQ
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TK6Q60W,S1VQ
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TK6Q65W,S1Q
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A3P015-1QNG68
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5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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XC6VLX195T-1FFG784I
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Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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