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Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(STA4,Q,M)

Numero parte MFG
TK9A60D(STA4,Q,M)
quantità disponibile
26510 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.304
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
π-MOSVII MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-TK9A60D(STA4,Q,M)
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie π-MOSVII
TK9A60D(STA4,Q,M) Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 830 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SIS
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK9A60D(STA4,Q,M) Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK9A60D(STA4,Q,M)-FT

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