casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK9A60D(STA4,Q,M)
codice articolo del costruttore | TK9A60D(STA4,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-TK9A60D(STA4,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSVII |
TK9A60D(STA4,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 830 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK9A60D(STA4,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK9A60D(STA4,Q,M)-FT |
TK40E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK30E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK58E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16E60W5,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel