codice articolo del costruttore | IRFD320 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFD320 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD320 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 490mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 210mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD320 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFD320-FT |
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel