casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK8A60DA(STA4,Q,M)
codice articolo del costruttore | TK8A60DA(STA4,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-TK8A60DA(STA4,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSVII |
TK8A60DA(STA4,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK8A60DA(STA4,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK8A60DA(STA4,Q,M)-FT |
TK40E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK34E10N1,S1X
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TK22E10N1,S1X
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TK58E06N1,S1X
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TK14E65W,S1X
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TK10E60W,S1VX
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AGL600V2-CSG281
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Lattice Semiconductor Corporation
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