casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFB4615PBF
codice articolo del costruttore | IRFB4615PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFB4615PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFB4615PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 144W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB4615PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFB4615PBF-FT |
IRF6641TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6641TRPBF
Infineon Technologies
IRF6643TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6643TRPBF
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IRF6644
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IRF6644TR1PBF
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IRF6644TRPBF
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IRF6645
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IRF6645TR1PBF
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
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5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
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AGL600V5-FGG144
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EP3SL150F780C4LN
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EPF10K30RC240-4N
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EP1S60F1020C5N
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