codice articolo del costruttore | IRF6644 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6644 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6644 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MN |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6644 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6644-FT |
IRF6610TR1
Infineon Technologies
IRF6610TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6610TRPBF
Infineon Technologies
IRF6621TR1
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IRF6631TRPBF
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A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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LFXP2-30E-6FT256I
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