codice articolo del costruttore | IRF6644 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6644 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6644 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MN |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6644 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6644-FT |
IRF6610TR1
Infineon Technologies
IRF6610TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6610TRPBF
Infineon Technologies
IRF6621TR1
Infineon Technologies
IRF6621TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6621TRPBF
Infineon Technologies
IRF6622TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6622TRPBF
Infineon Technologies
IRF6631TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6631TRPBF
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel