codice articolo del costruttore | IRF6645 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6645 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6645 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ SJ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric SJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6645 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6645-FT |
IRF6621TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6621TRPBF
Infineon Technologies
IRF6622TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6622TRPBF
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IRF6631TR1PBF
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IRF6631TRPBF
Infineon Technologies
IRF6711STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6711STRPBF
Infineon Technologies
IRF6712STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6713STR1PBF
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel