codice articolo del costruttore | IRF6645 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6645 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6645 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ SJ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric SJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6645 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6645-FT |
IRF6621TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6621TRPBF
Infineon Technologies
IRF6622TR1PBF
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IRF6622TRPBF
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IRF6631TR1PBF
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IRF6631TRPBF
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IRF6711STR1PBF
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IRF6711STRPBF
Infineon Technologies
IRF6712STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6713STR1PBF
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel