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Infineon Technologies IRF6641TR1PBF

Numero parte MFG
IRF6641TR1PBF
quantità disponibile
82130 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IRF6641TR1PBF
Numero di parte futuro FT-IRF6641TR1PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6641TR1PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MZ
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric MZ
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6641TR1PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF6641TR1PBF-FT

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