casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6644TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6644TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6644TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6644TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MN |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6644TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6644TRPBF-FT |
IRF6621TR1
Infineon Technologies
IRF6621TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6621TRPBF
Infineon Technologies
IRF6622TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6622TRPBF
Infineon Technologies
IRF6631TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6631TRPBF
Infineon Technologies
IRF6711STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6711STRPBF
Infineon Technologies
IRF6712STR1PBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel