codice articolo del costruttore | IRF7702 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7702 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7702 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7702 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7702-FT |
DMS2220LFW-7
Diodes Incorporated
PHM12NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHM15NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHM18NQ15T,518
NXP USA Inc.
PHM21NQ15T,518
NXP USA Inc.
PHM25NQ10T,518
NXP USA Inc.
PHM30NQ10T,518
NXP USA Inc.
PML260SN,118
Nexperia USA Inc.
PML340SN,118
Nexperia USA Inc.
PSMN013-30LL,115
NXP USA Inc.
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel