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NXP USA Inc. PHM30NQ10T,518

Name: PHM30NQ10T,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHM30NQ10T,518
Availability: InStock
Rating: 4.9 (390 reviews)

Numero parte MFG: PHM30NQ10T,518

quantità disponibile: 54430 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PHM30NQ10T,518.pdf

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PHM30NQ10T,518 specificazioni

codice articolo del costruttore	PHM30NQ10T,518
Numero di parte futuro	FT-PHM30NQ10T,518
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHM30NQ10T,518 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	37.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53.7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HVSON (6x5)
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHM30NQ10T,518 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PHM30NQ10T,518-FT

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