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NXP USA Inc. PHM18NQ15T,518

Numero parte MFG
PHM18NQ15T,518
quantità disponibile
36620 pezzi
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore PHM18NQ15T,518
Numero di parte futuro FT-PHM18NQ15T,518
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PHM18NQ15T,518 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-HVSON (6x5)
Pacchetto / caso 8-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHM18NQ15T,518 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PHM18NQ15T,518-FT

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