casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHM18NQ15T,518
codice articolo del costruttore | PHM18NQ15T,518 |
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Numero di parte futuro | FT-PHM18NQ15T,518 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHM18NQ15T,518 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HVSON (6x5) |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHM18NQ15T,518 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHM18NQ15T,518-FT |
SPB02N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB02N60S5ATMA1
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SPB03N60C3ATMA1
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SPB03N60S5ATMA1
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SPB08P06P
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EPF10K130EFC484-1N
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XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
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