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NXP USA Inc. PSMN013-30LL,115

Name: PSMN013-30LL,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN013-30LL,115
Availability: InStock
Rating: 4.9 (59 reviews)

Numero parte MFG: PSMN013-30LL,115

quantità disponibile: 55560 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V QFN3333

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PSMN013-30LL,115.pdf

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PSMN013-30LL,115 specificazioni

codice articolo del costruttore	PSMN013-30LL,115
Numero di parte futuro	FT-PSMN013-30LL,115
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PSMN013-30LL,115 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	768pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	41W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN013-30LL,115 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PSMN013-30LL,115-FT

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