casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHM21NQ15T,518
codice articolo del costruttore | PHM21NQ15T,518 |
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Numero di parte futuro | FT-PHM21NQ15T,518 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHM21NQ15T,518 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2080pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HVSON (6x5) |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHM21NQ15T,518 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHM21NQ15T,518-FT |
SPB02N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB03N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB04N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB04N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB07N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB08P06P
Infineon Technologies
SPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel