casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7210TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7210TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7210TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7210TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 16A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 212nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17179pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7210TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7210TRPBF-FT |
IRL80HS120
Infineon Technologies
IRL60HS118
Infineon Technologies
BSZ100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BS7067N06LS3G
Infineon Technologies
BSZ042N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ076N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
IRF7470TRPBF
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel