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codice articolo del costruttore | BSZ100N06LS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ100N06LS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ100N06LS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ100N06LS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ100N06LS3GATMA1-FT |
SPP20N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP21N10
Infineon Technologies
SPP21N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP35N10
Infineon Technologies
SPP42N03S2L-13
Infineon Technologies
SPP42N03S2L13
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel