casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ067N06LS3GATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ067N06LS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ067N06LS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ067N06LS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ067N06LS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ067N06LS3GATMA1-FT |
SPP24N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP35N10
Infineon Technologies
SPP42N03S2L-13
Infineon Technologies
SPP42N03S2L13
Infineon Technologies
SPP47N10
Infineon Technologies
SPP47N10L
Infineon Technologies
SPP70N10L
Infineon Technologies
SPP73N03S2L08XK
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel