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codice articolo del costruttore | BSZ067N06LS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ067N06LS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ067N06LS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ067N06LS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ067N06LS3GATMA1-FT |
SPP24N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP35N10
Infineon Technologies
SPP42N03S2L-13
Infineon Technologies
SPP42N03S2L13
Infineon Technologies
SPP47N10
Infineon Technologies
SPP47N10L
Infineon Technologies
SPP70N10L
Infineon Technologies
SPP73N03S2L08XK
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation