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Infineon Technologies BSZ067N06LS3GATMA1

Numero parte MFG
BSZ067N06LS3GATMA1
quantità disponibile
33960 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.411864
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BSZ067N06LS3GATMA1
Numero di parte futuro FT-BSZ067N06LS3GATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSZ067N06LS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ067N06LS3GATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSZ067N06LS3GATMA1-FT

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