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Infineon Technologies BS7067N06LS3G

Name: BS7067N06LS3G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BS7067N06LS3G
Availability: InStock
Rating: 4.5 (82 reviews)

Numero parte MFG: BS7067N06LS3G

quantità disponibile: 84800 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BS7067N06LS3G.pdf

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BS7067N06LS3G specificazioni

codice articolo del costruttore	BS7067N06LS3G
Numero di parte futuro	FT-BS7067N06LS3G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BS7067N06LS3G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4800pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BS7067N06LS3G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BS7067N06LS3G-FT

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