casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRL80HS120
codice articolo del costruttore | IRL80HS120 |
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Numero di parte futuro | FT-IRL80HS120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRL80HS120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 11.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PQFN (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-VDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL80HS120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL80HS120-FT |
SPP20N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60S5
Infineon Technologies
SPP20N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP21N10
Infineon Technologies
SPP21N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP35N10
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel