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Infineon Technologies IRL80HS120

Numero parte MFG
IRL80HS120
quantità disponibile
89440 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.36884
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IRL80HS120
Numero di parte futuro FT-IRL80HS120
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRL80HS120 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 11.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2)
Pacchetto / caso 6-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL80HS120 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRL80HS120-FT

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