casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7171MTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7171MTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7171MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRF7171MTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 93A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 56A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2160pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MN |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7171MTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7171MTRPBF-FT |
IRF6706S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6708S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6708S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TRPBF
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IRF6720S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6720S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6810STR1PBF
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel