casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7171MTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7171MTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7171MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRF7171MTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 93A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 56A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2160pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MN |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7171MTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7171MTRPBF-FT |
IRF6706S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6708S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6708S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6720S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6720S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6810STR1PBF
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel