casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6785MTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6785MTRPBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRF6785MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6785MTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta), 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MZ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MZ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6785MTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6785MTRPBF-FT |
IRF6706S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6706S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6708S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6708S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6710S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6720S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6720S2TRPBF
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel