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Infineon Technologies IRF6718L2TR1PBF

Name: IRF6718L2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6718L2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (83 reviews)

Numero parte MFG: IRF6718L2TR1PBF

quantità disponibile: 90590 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF6718L2TR1PBF.pdf

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IRF6718L2TR1PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF6718L2TR1PBF
Numero di parte futuro	FT-IRF6718L2TR1PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6718L2TR1PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	61A (Ta), 270A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.7 mOhm @ 61A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	96nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6500pF @ 13V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	4.3W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET L6
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric L6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6718L2TR1PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF6718L2TR1PBF-FT

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