casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF5803D2PBF
codice articolo del costruttore | IRF5803D2PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF5803D2PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FETKY™ |
IRF5803D2PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 25V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF5803D2PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF5803D2PBF-FT |
BSO119N03S
Infineon Technologies
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
BSO130P03SHXUMA1
Infineon Technologies
BSO130P03SNTMA1
Infineon Technologies
BSO200N03S
Infineon Technologies
BSO200P03SHXUMA1
Infineon Technologies
BSO200P03SNTMA1
Infineon Technologies
BSO201SPHXUMA1
Infineon Technologies
BSO201SPNTMA1
Infineon Technologies
BSO203SPHXUMA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation