casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSO200N03S
codice articolo del costruttore | BSO200N03S |
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Numero di parte futuro | FT-BSO200N03S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO200N03S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO200N03S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSO200N03S-FT |
SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP11N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP12N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP15N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP15N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP15N65C3HKSA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
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5SGXMB6R2F43C3N
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EP3SE260F1152I4N
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation