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Infineon Technologies BSO200N03S

Numero parte MFG
BSO200N03S
quantità disponibile
74370 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSO200N03S specificazioni

codice articolo del costruttore BSO200N03S
Numero di parte futuro FT-BSO200N03S
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSO200N03S Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO200N03S Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSO200N03S-FT

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