casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSO119N03S
codice articolo del costruttore | BSO119N03S |
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Numero di parte futuro | FT-BSO119N03S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO119N03S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO119N03S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSO119N03S-FT |
SPP100N08S2-07
Infineon Technologies
SPP100N08S2L-07
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SPP10N10
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SPP10N10L
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SPP11N60C3XKSA1
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SPP11N60CFDHKSA1
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SPP11N60CFDXKSA1
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SPP11N60S5HKSA1
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SPP11N65C3XKSA1
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SPP11N80C3XKSA1
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