casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSO203SPHXUMA1
codice articolo del costruttore | BSO203SPHXUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSO203SPHXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO203SPHXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-DSO-8 |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO203SPHXUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSO203SPHXUMA1-FT |
SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP12N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP15N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP15N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP15N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP15P10P
Infineon Technologies
SPP15P10PGHKSA1
Infineon Technologies
SPP15P10PHXKSA1
Infineon Technologies
SPP15P10PLGHKSA1
Infineon Technologies
SPP16N50C3HKSA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel