casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSO130P03SNTMA1
codice articolo del costruttore | BSO130P03SNTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSO130P03SNTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO130P03SNTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 140µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3520pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-DSO-8 |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO130P03SNTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSO130P03SNTMA1-FT |
SPP10N10L
Infineon Technologies
SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60CFDXKSA1
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SPP11N60S5HKSA1
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SPP11N65C3XKSA1
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SPP11N80C3XKSA1
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SPP12N50C3HKSA1
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SPP15N60C3XKSA1
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SPP15N60CFDHKSA1
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LCMXO256C-4T100I
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A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
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XC7K355T-1FFG901I
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XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
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Lattice Semiconductor Corporation
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