casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF3205PBF
codice articolo del costruttore | IRF3205PBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRF3205PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3205PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3247pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3205PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF3205PBF-FT |
IRF6637TRPBF
Infineon Technologies
IRF6641TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6641TRPBF
Infineon Technologies
IRF6643TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6643TRPBF
Infineon Technologies
IRF6644
Infineon Technologies
IRF6644TR1
Infineon Technologies
IRF6644TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6644TRPBF
Infineon Technologies
IRF6645
Infineon Technologies