casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW65R150CFDFKSA1
codice articolo del costruttore | IPW65R150CFDFKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW65R150CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW65R150CFDFKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 195.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R150CFDFKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW65R150CFDFKSA1-FT |
IPI120N04S302AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S401AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPI126N10N3 G
Infineon Technologies
IPI12CN10N G
Infineon Technologies
IPI12CNE8N G
Infineon Technologies
IPI139N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI147N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI14N03LA
Infineon Technologies
IPI16CN10N G
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel