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codice articolo del costruttore | IPI120N04S402AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI120N04S402AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI120N04S402AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10740pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 158W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI120N04S402AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI120N04S402AKSA1-FT |
SPW11N60S5FKSA1
Infineon Technologies
SPW12N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW15N60C3FKSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
SPW20N60S5FKSA1
Infineon Technologies
SPW24N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW32N50C3FKSA1
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
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EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel