casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI126N10N3 G
codice articolo del costruttore | IPI126N10N3 G |
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Numero di parte futuro | FT-IPI126N10N3 G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI126N10N3 G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI126N10N3 G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI126N10N3 G-FT |
SPW12N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW15N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW15N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW17N80C3A
Infineon Technologies
SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW20N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW20N60S5FKSA1
Infineon Technologies
SPW24N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW32N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel